纳米银烧结炉
该设备是利用真空环境对纳米银材料进行有压烧结，在真空条件下通过高温加热和加压使纳米银颗粒间发生熔合，形成致密的烧结体。相比于软钎焊，采用烧结银技术可使热导率提升3倍，电导率提升5倍，模块使用寿命提高5~10倍，是第三代半导体封装的核心工艺
选件：
纳米银银烧结动态压头工业计算机,触摸屏,真空数字流量开关
产品特点
本纳米银烧结炉集成力-热-气多场耦合控制体系，突破压力均匀性、温度均匀性及气氛控制（低氧/真空/氮气多模式可调）三大核心技术，采用气-液复合驱动与模块化快换设计，实现银层孔隙率＜5%、导热率240W/m·K的高可靠性烧结，支持SiC功率模块98.5%良率，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器等高压大功率领域。
产品详情
| 系列 | 压头数量 | 最大烧结压力 | 最高温度 | 压头高度自适应 | 压板行程 | 气氛 |
| HSP-M/P | 3—24 | 40MPa | 400℃ | ≥10mm | ≥190mm | N2/Air |
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